سامسونگ حافظه 1 ترابایتی داخلی را برای گوشیهای هوشمند معرفی کرد
موبنا – این نوع حافظه که به عنوان حافظه داخلی گوشیهای هوشمند استفاده میشود قرار است در نسل بعدی محصولات سامسونگ بکار گرفته شود. تنها چهار سال بعد از معرفی اولین نسخه حافظههای UFS که با گنجایش 128 گیگابایت عرضه شده بودند، اکنون شرکت سامسونگ توانسته است از مرز یک ترابایت حافظه داخلی برای گوشیهای هوشمند عبور کند. به این ترتیب کاربران گوشیهای هوشمند به زودی خواهند توانست حافظهای در حد یک نوتبوک بالارده را بدون نیاز به کارت حافظه جداگانه، روی گوشیهای هوشمند خودشان داشته باشند.
چئول چوی مدیراجرایی بخش بازاریابی حافظه در شرکت سامسونگ میگوید «انتظار میرود حافظه 1TB eUFS بتواند نقش بسیار مهمی در ایجاد تجربه کاربری شبیه به نوتبوک در نسل آینده گوشیهای همراه داشته باشد. علاوه بر این سامسونگ متعهد است قابل اتکاترین زنجیره عرضه این حافظه را با میزان تولید کافی ایجاد کند تا عرضه گوشیهای هوشمند پرچمدار جدید به موقع انجام شده و موجب رشد بازار جهانی موبایل شود».
حافظه 1TB eUFS در همان ابعاد قبلی (11.5 میلیمتر در 13.0 میلیمتر) طراحی شده است اما با ترکیب 16 لایه پشتهای از پیشرفتهترین حافظههای فلش V-NAND 512 گیگابایتی سامسونگ با یک کنترلر اختصاصی، توانسته است ظرفیتی دوبرابر نسخههای قبلی ایجاد کند. به این ترتیب کاربران گوشیهای هوشمند خواهند توانست تا 260 ویدیوی 10 دقیقهای با فرمت 4K UHD را در حافظه داخلی گوشی خود ذخیره کنند در حالی که بسیاری از گوشیهای بالارده امروزی هنوز از حافظه 64GB eUFS استفاده میکنند که کاربر تنها میتواند 13 ویدیو با مشخصات گفته شده را روی آنها ذخیره کند.
سرعت کار حافظه 1TB eUFS هم بصورت استثنایی بالا رفته است و به این ترتیب کاربران میتوانند حجم بزرگی از فایلهای چندرسانهای را در زمانی بسیار کم به گوشی خود منتقل کنند. سرعت انتقال این حافظه 1000 مگابایت برثانیه یعنی تقریباً دو برابر سرعت خواندن در یک حافظه SATA SSD 2.5 اینچی است. این یعنی یک ویدیوی فول اچدی با حجم 5 گیگابایت را میتوانید تنها در 5 ثانیه به حافظه NVMe SSD منتقل کنید. این سرعت تا 10 برابر بیشتر از سرعت یک حافظه microSD معمولی است.
علاوه بر این سرعت خواندن تصادفی نیز در مقایسه با نسخه 512 گیگابایتی تا 38 درصد افزایش یافته و سرعت کلاک به 58 هزار IOPS رسیده است. سرعت نوشتن تصادفی هم تا 500 برابر سریعتر از یک کارت حافظه microSD با عملکرد بسیار بسیار خوب (یعنی کلاک 100 IOPS) است و سرعت کلاک ان به 50 هزار IOPS رسیده است. بالا بودن سرعت خواندن و نوشتن تصادفی به کاربر امکان میدهد فیلمبرداری با سرعت 960 فریم در ثانیه را بصورت پیوسته ادامه دهد و این یعنی استفاده کامل از قابلیتهای گوشیهای پرچمدار چنددوربین کنونی و مدلهای آینده.
شرکت سامسونگ قصد دارد تولید نسل پنجم حافظههای 512Gb V-NAND خود را در نیمه اول سال 2019 در کارخانه پیونگتائک کره جنوبی افزایش داده تا بتواند پاسخگوی افزایش تقاضای پیشبینی شده برای حافظههای 1TB eUFS از سوی برندهای مختلف تولیدکننده گوشیهای همراه باشد.
مقایسه عملکرد حافظه داخلی:
حافظه | سرعت خواندن ترتیبی | سرعت نوشتن ترتیبی | سرعت خواندن تصادفی | سرعت نوشتن تصادفی |
سامسونگ یک ترابایت eUFS 2.1 (ژانویه ۲۰۱۹) | ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه | ۲۶۰ مگابایت بر ثانیه | ۵۸ هزار IOPS | ۵۰ هزار IOPS |
سامسونگ ۵۱۲ گیگابایت eUFS 2.1 (نوامبر ۲۰۱۷) | ۸۶۰ مگابایت بر ثانیه | ۲۵۵ مگابایت بر ثانیه | ۴۲ هزار IOPS | ۴۰ هزار IOPS |
سامسونگ eUFS 2.1 برای اتومبیل (سپتامبر ۲۰۱۷) | ۸۵۰ مگابایت بر ثانیه | ۱۵۰ مگابایت بر ثانیه | ۴۵ هزار IOPS | ۳۲ هزار IOPS |
سامسونگ ۲۵۶ گیگابایت UFS Card (جولای ۲۰۱۶) | ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه | ۱۷۰ مگابایت بر ثانیه | ۴۰ هزار IOPS | ۳۵ هزار IOPS |
سامسونگ ۲۵۶ گیگابایت eUFS 2.0 (فوریه ۲۰۱۶) | ۸۵۰ مگابایت بر ثانیه | ۲۶۰ مگابایت بر ثانیه | ۴۵ هزار IOPS | ۴۰ هزار IOPS |
سامسونگ ۱۲۸ گیگابایت eUFS 2.0 (ژانویه ۲۰۱۵) | ۳۵۰ مگابایت بر ثانیه | ۱۵۰ مگابایت بر ثانیه | ۱۹ هزار IOPS | ۱۴ هزار IOPS |
eMMC 5.1 | ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه | ۱۲۵ مگابایت بر ثانیه | ۱۱ هزار IOPS | ۱۳ هزار IOPS |
eMMC 5.0 | ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه | ۹۰ مگابایت بر ثانیه | ۷ هزار IOPS | ۱۳ هزار IOPS |
eMMC 4.5 | ۱۴۰ مگابایت بر ثانیه | ۵۰ مگابایت بر ثانیه | ۷ هزار IOPS | ۲ هزار IOPS |